Page 115 - Kỷ yếu hội thảo khoa học quốc tế - Ứng dụng công nghệ mới trong công trình xanh , lần thứ 8

98 TRƯỜNG ĐẠI HỌC SƯ PHẠM KỸ THUẬT - ĐẠI HỌC ĐÀ NẴNG

phương trình khuếch tán trôi dạt để khảo sát đặc tính Standard Cells”, Circuits, Systems, and Signal
điện tử của linh kiện Si FinFET theo nhiều thông số Processing 37, pp. 1789-1806, 2018.
cấu trúc khác nhau. Kết quả khảo sát đặc tính dòng áp [10] G. A. T. Sevilla, M. T. Ghoneim, H. Fahad, J. P.
và phân tích các thông số kỹ thuật của linh kiện cho Rojas, A. M. Hussain, M. M. Hussain, “Flexible
thấy hiệu ứng kênh dẫn ngắn đóng vai trò quan trọng Nanoscale High-Performance FinFETs”, ACS
khi chiều dài cực cổng giảm hoặc độ rộng kênh tăng. Nano 8, 9850-9856, 2014.
Sự ảnh hưởng của hiệu ứng này được thể hiện qua sự [11] S. G. Kim, G. Klimeck, S. Damodaran, B. P.
thay đổi các thông số kỹ thuật quan trọng của linh kiện Haley, "MuGFET". https://nanohub.org/resources/
như hệ số mở/đóng, điện áp ngưỡng, DIBL. Việc sử nanofinfet, DOI: 10.21981/GVN0-X289, 2023.
dụng vật liệu cách điện cực cổng có hệ số điện môi [12] A. Valletta; P. Gaucci; L. Mariucci; A. Pecora; M.
cao giúp giảm hiệu ứng kênh dẫn ngắn trong linh kiện Cuscunà; L. Maiolo; G. Fortunato, “Threshold
kích thước nano. Kết quả nghiên cứu cho thấy cần voltage in short channel polycrystalline silicon
phải cân nhắc chọn L có độ dài phù hợp, W cần được thin film transistors: Influence of drain induced
thiết kế nhỏ và sử dụng vật liệu có hệ số điện môi cao barrier lowering and floating body effects”,
là những giải pháp kỹ thuật cần quan tâm để tối ưu J. Appl. Phys. 107, 074505, 2010.
trong thiết kế linh kiện nano FinFET. Các kết quả [13] T. A. Bhat, M. Mustafa, M. R. Beigh, “Study of
nghiên cứu này có thể được sử dụng trong thiết kế linh Short Channel Effects in n-FinFET Structure for
kiện nano FinFET để giúp tăng hiệu suất hoạt động, Si, GaAs, GaSb and GaN Channel Materials”,
giảm tác động của hiệu ứng kênh dẫn ngắn để có thể J. Nano-Electron. Phýa. 7, 03010, năm 2015.
ứng dụng linh kiện trong lĩnh vực công nghiệp bán [14] M. Koh, W. Mizubayashi, K. Iwamoto, H.
dẫn. Murakami, T. Ono, M. Tsuno, T. Mihara, K.
Shibahara, S. Miyaraky, M. Hirose, “Limit of gate
TÀI LIỆU THAM KHẢO oxide thickness scaling in MOSFETs due to
apparent threshold voltage fluctuation induced by
[1] J. Shin, C. Shin, “Experimental observation of zero tunnel leakage current”, IEEE Transactions on
DIBL in short-channel hysteresis-free ferroelectric-
gated FinFET”, Solid-State Electronics 153, pp. 12- Electron Devices 48, pp. 259-264, 2001.
15, 2019.
[2] Y. H. Naif, “Review on Fin Shape Channel Field
Effect Transistor (FinFET)”, Journal of Electronics,
Electromedical Engineering, and Medical Informatics
3, pp.149-155, 2021.
[3] R. Kumar, A. Kumar, “Hafnium based high-k
dielectric gate-stacked (GS) gate material engineered
(GME) junctionless nanotube MOSFET for digital
applications”, Applied Physics A 127, 26, 2021.
[4] U. Sharma, “Advancement of Gate Oxides from
SiO2 to High-k Dielectrics in Microprocessor and
Memory”, J. Phys.: Conf. Ser. 2267, 012142, 2022.
[5] Y. Sun, X. Yu, R. Zhang, B. Chen, R. Cheng, “The
past and future of multi-gate field-effect transistors:
Process challenges and reliability issues”, J.
Semicond. 42, 023102, 2021.
[6] C. Tsai, X. You, M. Tsai, Y. Hsin, “High-
performance normally-off recessed tri-gate GaN
MIS-FETs in micrometer scale”, Semicond. Sci.
Technol. 37, 015002, 2022.
[7] D. Zhao, Z. Tian, H. Liu, Z. Gu, H. Zhu, L. Chen,
Q. Sun, D. W. Zhang, “Realizing an Omega-Shaped
Gate MoS2 Field-Effect Transistor Based on a
SiO2/MoS2 Core–Shell Heterostructure”, ACS
Appl. Mater. Interfaces 12, 14308-14314, 2020.
[8] A. Navaneetha, K. Bikshalu, “Reliability Analysis
of FinFET Based High Performance Circuits”,
Electronics 12, 1407, 2023.
[9] T. Wang, X. Cui, K. Liao, N. Liao, D. Yu, X. Cui,
“Design of Low-Power High-Performance FinFET

ISBN: 978-604-80-9122-4